miércoles, junio 21, 2006
IBM y Georgia Tech rompen récord de velocidad en semiconductores
Científicos de IBM y el Georgia Institute of Technology crearon un semiconductor que opera a 500 GHz, más de 100 veces más rápido que los chips actuales--, llevando la temperatura de esos chips prototipos a casi la temperatura del cero absoluto, 451 grados Fahrenheit bajo cero. A temperatura ambiente los chips derivados de germanio, operan a 350 GHz. Bernie Meyerson, jefe tecnólogo del grupo IBM Systems and Technology Group, dice que ese logro prueba que aún no se ha legado a los límites de velocidad en semiconductores. Varias simulaciones ejecutadas por IBM sugieren que los chips podría soportar velocidades de hasta 1000 GHz, aún a temperatura ambiente. Vea detalles sobre este experimento en el web site de IBM.
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Científicos de IBM y el Georgia Institute of Technology crearon un semiconductor que opera a 500 GHz, más de 100 veces más rápido que los chips actuales--, llevando la temperatura de esos chips prototipos a casi la temperatura del cero absoluto, 451 grados Fahrenheit bajo cero. A temperatura ambiente los chips derivados de germanio, operan a 350 GHz. Bernie Meyerson, jefe tecnólogo del grupo IBM Systems and Technology Group, dice que ese logro prueba que aún no se ha legado a los límites de velocidad en semiconductores. Varias simulaciones ejecutadas por IBM sugieren que los chips podría soportar velocidades de hasta 1000 GHz, aún a temperatura ambiente.
