martes, noviembre 04, 2003 Nueva tecnología de Intel reduce fugas de corriente y disipación de calor. En el ascéptico mundo de los semiconductores aún las minúsculas fugas de corriente pueden afectar el rendimiento y contribuir a un calentamiento indeseado de los chips. Pues bien, Intel anunció hoy en California --9:00 am PST-- una nueva tecnología llamada High-K/Metal Gate que combina el material High-K --K es la constante dieléctrica de un material, directamente relacionada con el rendimiento de un transistor-- para sustituir el dióxido de silicio que se usa hoy en las puertas lógicas y uso de metal para reemplazar los electrodos de poli-silicio de los transistores. Intel ha invertido cinco años de investigación en la búsqueda de este material de alto K, el cual ya ha integrado en prototipos que muestran un rendimiento superior. La tecnología, dijo ayer un vocero de Intel en conversación exclusiva con En Bytes, estará en productos comerciales, junto con la tecnología de 45 nm, en 2007. ¡Larga vida a la Ley de Moore!
11:59 AM ¿Quiere comentar esta nota?. Anímese.
